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7nm工艺进展:TSMC良率“健康”三星还得等

本文摘要:Intel宣告投资70亿美元升级Fab42工厂,3-4年后打算生产7nm工艺,冲破了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上发布了自家的7nm工艺进展,TSMC展出了7nmHKMGFinFET工艺的256MbSRAM芯片,核心面只有16nm工艺的34%,而且良率很好,而三星展出的7nmSRAM芯片只有8Mb,更好的是研究性质,他们要等EUV光刻工艺成熟期。

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Intel宣告投资70亿美元升级Fab42工厂,3-4年后打算生产7nm工艺,冲破了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上发布了自家的7nm工艺进展,TSMC展出了7nmHKMGFinFET工艺的256MbSRAM芯片,核心面只有16nm工艺的34%,而且良率很好,而三星展出的7nmSRAM芯片只有8Mb,更好的是研究性质,他们要等EUV光刻工艺成熟期。在ISSCC国际固态电路会议上,各大半导体公司都发布了自家半导体技术的进展,AMD2020-03-29 提及的Ryzen处理器的核心面积就是在ISSCC会议上发布的,EEtimes现在又报导了TSMC和三星的7nm工艺进展情况。

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TSMC的7nm256MBSRAM芯片TSMC虽然在16nmFinFET上不吃过盈,不过他们在10nm、7nm工艺上野心勃勃,今年上半年将用于10nm工艺为苹果量产A11处理器,这次发布的7nm工艺进展看上去也很成功。TSMC公开发表了7nm工艺生产的256MbSRAM芯片,位单元面积只有0.027um2,7层金属层工艺,整个核心面积也只有42mm2。

根据TSMC存储业务部门的高管JonathanChang所说,TSMC的7nm工艺核心面积只有16nm工艺的0.34倍。只有良率问题,TSMC在论文中回应7nm工艺良率很“身体健康”(healthy),听得上去很有信心。三星展出的8MbSRAM芯片与此同时,三星也公开发表了7nm工艺的部分信息,不过他们讲解的SRAM芯片容量只有8Mb,更加看起来研究而非研发性质。三星同时针对现有设备及EUV工艺研发了两种修缮工艺,似乎EUV工艺的会更佳,不过修缮处置并不是半导体生产的必需过程,三星只是检验EUV工艺可以做什么。

根据三星去年发布的消息,他们在7nm工艺上是想要等到EUV工艺成熟期,业界分析指出EUV工艺在2020年才不会超过量产水平。


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